کاربرد کاربید سیلیکون در زمینه نیمه هادی

استفاده از کاربید سیلیکون در زمینه نیمه هادی
نانومواد تک بعدی SiC به دلیل مورفولوژی میکروسکوپی و ساختار کریستالی خود دارای خواص عالی منحصر به فرد و چشم انداز کاربرد گسترده تری هستند. آنها به طور کلی جزء مهمی از نسل سوم مواد نیمه هادی باند گپ گسترده در نظر گرفته می شوند.
مواد نیمه هادی نسل سوم، مواد نیمه هادی باند پهن هستند که به عنوان مواد نیمه هادی با دمای بالا نیز شناخته می شوند، عمدتاً شامل کاربید سیلیکون، نیترید گالیم، نیترید آلومینیوم، اکسید روی، الماس و غیره است. این نوع مواد دارای ویژگی های عرض باند پهن است رسانایی حرارتی بالا، میدان الکتریکی شکست بالا، مقاومت در برابر تشعشع بالا، نرخ اشباع الکترون بالا و غیره و برای تولید دستگاه های با دمای بالا، فرکانس بالا، مقاوم در برابر تشعشع و توان بالا مناسب است. با ویژگی های عالی خود، مواد نیمه هادی نسل سوم چشم انداز کاربردی بسیار گسترده ای در آینده دارند.